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全新TASF-OLED技术突破性进展揭晓

发布时间:2019-04-15

  3月26日,2019年国际显示技术会议(下文简称ICDT 2019)于江苏昆山召开,会议围绕新兴显示及制造的前沿技术展开,为世界各地的显示领域专家学者交流探讨、协商合作提供了机会。作为OLED新材料领域的供应商代表,鼎材科技先进材料部负责人高文正博士针对TASF这一全新的OLED材料技术发表了演讲,为大家讲解OLED材料将迎来的革命性进展。

  蓝光效率低是目前OLED显示技术发展的瓶颈问题。有别于红绿磷光器件,蓝光OLED依然采用低效率的荧光材料,针对高效蓝光材料的开发一直是学界和产业界的热点。热活化延迟荧光(TADF)材料可通过能量的RISC(反向隙间穿越)过程实现理论100%内量子效率,但由于其分子设计的内在原因,色纯度低和效率滚将问题制约了其产业化应用。鼎材科技联合清华大学有机光电子实验室开发了热活化敏化荧光(TASF)技术有望解决这一难点。TASF技术是一种新型的高效OLED材料和器件技术,将荧光发光材料与TADF材料共沉积到发光层中,激子在TADF分子上生成后经敏化过程被传输到荧光染料进行辐射发光,实现了能量采集与发光过程的分离,从而解决材料设计困难、染料效率低和效率滚降的问题。目前,国际上TASF及TADF材料及器件技术的研究刚刚起步,处于核心专利布局的阶段。

  在会议上,高文正博士先容了鼎材科技针对TADF技术的问题所采取的前瞻性研究及现阶段成果。技术团队通过TASF技术,逐步达到商业化蓝光需求色度,并从电荷复合效率,激子应用效率,荧光发射效率和光取出效率的多方面研究提升器件效率,实现了两倍于现有材料体系的器件效率。鼎材科技结合材料分子设计和器件结构开发,制备了高性能底发光器件,实现了在1000 nit亮度,外量子效率EQE>16%,色坐标CIE=(0.13,0.10),电致发光波长EL=460 nm,半峰宽FWHM=28 nm。这是国际OLED材料领域首次实现深蓝光发光峰在460nm条件下EQE(外量子效率)突破15%。

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  同时,高文正博士表示以TASF技术为代表的OLED材料开发是一个新材料体系的开发,不仅包括发光层材料,其他功能层材料对器件性能的影响也是极其重要的。鼎材科技在电子传输材料和发光辅助层材料等领域,通过长期的理论研究和材料迭代开发实践,取得了重大的进展,开发出了多款具有自主常识产权、并满足AMOLED显示产品实用化指标的新型电子传输材料、绿光发光辅助层材料和红光发光辅助层等材料,部分材料产品已经通过客户验证,实现了量产出货。

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  最后,高文正博士表示,鼎材科技将秉持产业报国的初心,坚持自主创新,致力于不断开发出更高性能的显示材料,努力解决国内OLED面板产业发展中关键原材料自主配套的难题,为我国OLED面板企业参与国际竞争提供竞争优势。愿与产业界和学术界同仁一起合作,共同助力我国新型显示产业腾飞。




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